英特尔转向新架构 ASML高NA光刻机需求遇冷

英特尔高层表示未来芯片制造将减少依赖ASML的High-NA EUV光刻机，转向晶体管架构革新。英特尔虽已采购5台High-NA设备，但未完全承诺量产应用，并保留传统方案降低风险。台积电称A14制程可能不采用High-NA设备，因成本过高且现有技术可维持性能。三星、SK海力士选择3D DRAM技术路线，无需依赖EUV设备。High-NA光刻机单价达3.78亿美元，高昂成本和经济效益存疑，行业转向寻找更具成本效益的技术路径。