长江存储国产化产线试产成功 存储芯片自主化进程再提速

长江存储在国产化设备推进方面取得重大突破，首条全国产化NAND产线将于2025年下半年试产。其NAND闪存产能扩张计划加速，预计2025年国内市场占有率达30%，2026年全球产能占比将升至15%。通过工艺技术突破（蚀刻/沉积关键环节），减少对外依赖，推动存储芯片自主化进程。国产设备产线的投产将为后续产能爬坡提供支撑，提升企业竞争力并助力中国半导体产业整体发展。