英特尔软银联手颠覆HBM！堆叠式DRAM剑指40%功耗降低

英特尔与软银合资成立Saimemory公司，计划开发堆叠式DRAM替代HBM技术，目标2027年完成原型开发。该技术采用垂直堆叠和EMIB互连技术，宣称存储容量翻倍且功耗降低40%，剑指日本数据中心市场并意图重返全球存储芯片竞争。日本政府通过补贴支持半导体产业复兴，而三星/SK海力士仍控制全球90% HBM市场。