国产芯片再突破！RISC-V存算一体技术路线图确立，3D-CIM破解算力瓶颈

2025年09月17日，杭州举办RISC—V存算一体产业论坛暨应用组启动大会，微纳核芯、紫光展锐、兆易创新等多家芯片相关企业与机构代表及专家参会，共同确立“RISC—V 存算一体”技术标准化路线图。会上，微纳核芯首席科学家叶乐教授介绍其三维存算一体（3D—CIM）技术，采用SRAM实现数字域存算一体，同工艺下算力密度较传统架构提升4倍，22nm工艺可达到传统7nm工艺相当算力密度，计算能效提升5—10倍，成本降低4倍，且基于全国产供应链。同时创新提出RISC—V与存算一体异构融合架构，解决存算一体软件生态难题，计划2026年一季度流片、三季度向头部企业送样，布局AI手机等端侧应用，中期目标云端大模型市场，远期瞄准具身智能领域。