第三代半导体破局充电难题，人形机器人快充技术迎突破

第三代半导体（GaN/SiC）技术突破为机器人充电难题提供解决方案，显著提升充电效率、降低损耗并优化散热。英诺赛科、镓奥科技、英嘉通等企业推出针对性快充方案，GaN器件在功率密度和转换效率上表现突出（效率达98%-99%，损耗降低三倍），SiC则在高压场景具成本与可靠性优势。传统硅基方案如昂宝电子的AHB拓扑架构也在优化充电性能，推动机器人供电系统向高效、智能发展。