EUV光刻成芯片制程突破关键，光刻技术持续引领集成电路发展

本文综述了集成电路制造工艺技术现状与挑战，重点分析光刻技术在缩小特征尺寸中的核心作用。当前10nm以下制程依赖EUV光刻技术，ASML公司EUV机台性能提升推动7nm及以下节点应用。同时面临光刻分辨率、互联延迟、器件特性退化等挑战，未来技术方向包括高k介质、FinFET/GAA晶体管结构及3D集成、扇出型晶圆级封装等创新。