领开半导体突破NOR Flash技术瓶颈，国产存储芯片迎新机遇

领开半导体推出ATopFlash技术，采用电荷陷阱机制对NOR Flash进行颠覆性创新，相较传统技术存储单元面积减少50%、光罩数量减少30%，显著降低成本。该技术可应用于55nm至7nm以下制程，解决MCU嵌入式Flash在28nm以下节点的技术瓶颈。公司已完成55nm技术验证，计划2025年下半年流片，目标2026年量产、2028年科创板上市。其技术被称可填补行业空白，可能成为未来NOR Flash领域主流方案。全球NOR Flash市场年增速15%，领开半导体已获多轮融资，拥有17项专利，计划通过技术优势实现国产替代和全球领先。