SK海力士新一代存储芯片即将面世，性能与能效双突破或引爆市场

SK海力士计划于2025年推出SK3214D NAND UFS 4.0存储芯片，2026年升级至UFS 4.1版本。新产品读写速度可达4.3GB/s，较前代提升215%，能效比提升40%，功耗降低7%。该芯片将应用于512GB至1TB容量的智能手机存储，可能搭载于小米15、realme GT7 Pro等机型，标志着存储技术迭代加速。