深紫外MicroLED技术获重大突破！2.3微米像素制造工艺革新来袭

沙特KAUST团队在深紫外Micro—LED制造领域取得突破，开发出新型选择性热氧化工艺，成功实现2.3微米像素器件制造。该工艺简化传统流程，提升精度并降低漏电风险，器件性能测试表现良好。同期，行业盛会IFWS & SSLCHINA 2025将于11月在厦门召开，将推动第三代半导体技术交流。