2.3微米深紫外Micro-LED技术突破，新型制备工艺简化制造流程

沙特KAUST团队开发新型STO工艺，成功制造出2.3微米像素的深紫外Micro-LED器件。该工艺通过选择性热氧化技术简化了传统制造流程，解决了高精度光刻对准难题，器件性能表现良好，工作电压低至4.9V，外量子效率达0.77%。这项技术突破为深紫外Micro-LED在消毒灭菌、紫外通信等领域的应用提供了新路径。