英诺赛科推全球首款100V氮化镓驱动芯片，完善第三代半导体生态

英诺赛科发布全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，专为驱动其第三代半导体材料VGaN设计，可替代传统Si MOSFET方案，显著降低功耗、缩小系统尺寸并降低成本。该芯片兼容主流MCU控制逻辑，主要应用于电池管理系统（BMS）、储能、电动交通等领域。英诺赛科作为全球领先的氮化镓企业，拥有大规模生产基地和700余项专利，此次新品进一步完善其氮化镓生态系统。