国内首例氮化铝功率器件突破！第三代半导体产业盛会11月厦门召开

深圳平湖实验室联合北京大学及南方科技大学团队成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。该器件在无需离子注入等改进工艺下，关态击穿电压达2045V至3000V级别，比导通电阻率提升显著，突破了国内此前主要聚焦氮化铝二极管器件的研究局限。研究团队表示将持续优化材料性能及工艺，以进一步提升器件表现。同时，年度国际第三代半导体产业盛会IFWS & SSLCHINA 2025将于11月在厦门召开，将举办技术论坛、成果评选及展览等活动，推动行业技术交流与合作。