硅基金刚石热沉技术突破：第三代半导体散热难题迎低成本解决方案

河南科之诚第三代半导体公司发表研究论文，展示硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用成果。该材料散热性能接近纯金刚石但成本仅为十分之一，可解决5G基站等场景的散热瓶颈，推动GaN器件产业化应用。研究依托河南金刚石产业优势，形成技术链条并可协同高频滤波器产品。行业年度盛会IFWS & SSLCHINA 2025将于11月在厦门召开，促进技术交流与产业合作。