ISPSD 2025揭示第三代半导体技术新突破，中国研究全球领先

第37届功率半导体国际会议ISPSD 2025在日本举办，聚焦第三代半导体技术进展。会议展示氮化镓、碳化硅等材料研究成果，中国在论文投稿数量（101篇）和学术机构表现（电子科大等高校领先）均居全球首位。中国在氮化镓、氧化镓方向优势明显，但高压器件领域仍有不足。会议还宣布2026年将在美国举办，并预告厦门将举办国际第三代半导体产业论坛，促进技术交流与产业发展。