华中科大突破四光子光刻技术 精度达290纳米创纪录

华中科技大学甘棕松教授团队研发出级联上转换四光子光刻技术，通过Ho3+/Yb3+掺杂纳米颗粒与TTA系统结合，在弱光条件下实现290纳米特征精度的真3D打印。该技术突破传统上转换光刻的10微米精度限制，使用低成本980nm激光，解决热损伤和设备昂贵问题，可应用于生物打印、数据存储等高精度制造领域。