三星率先应用干式光刻胶技术，推动DRAM工艺革新

三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式光刻胶（PR）技术，并已在平泽P4工厂完成设备安装。干式光刻胶技术相比湿式工艺在超精细工艺中优势明显，可提高曝光精度、良率和工艺容差，降低不良率。三星此举旨在提升DRAM电路质量，计划明年量产，将成为全球首家在DRAM生产中应用干式光刻胶技术的公司。