三星电子率先应用干式光刻胶技术,推动DRAM工艺升级
2025-06-11
三星电子在DRAM内存制造中率先采用干式光刻胶技术,应用于第6代10纳米级工艺,已完成泛林集团设备部署。该技术可提升曝光效率和线宽精度,并计划用于HBM4产品以增强性能。干式光刻胶相比传统湿式技术优势明显,泛林集团此前已宣布其技术被领先存储厂商采用。


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