DRAM技术新突破：3D DRAM或引领未来30年存储革命

SK海力士、三星、美光等厂商在DRAM技术突破上取得进展，提出4F2VG和3D DRAM技术路线，旨在解决10nm以下制程瓶颈。SK海力士发布未来30年技术规划，三星设立美国实验室推进3D X-DRAM研发，美光获得多项专利。3D DRAM因成本和性能优势被视为未来核心方向，预计2030年市场规模将达千亿美元。创业公司NEO的3D X-DRAM技术也展现潜力。