美光三星竞推超薄LPDDR5X芯片 折叠屏手机设计迎新突破

美光宣布交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品，采用10nm级制程和EUV光刻技术，速率10.7Gbps，功耗降低20%，封装厚度仅0.61mm，比竞品薄6%。三星此前推出12nm LPDDR5X芯片，厚度0.65mm，速度同样达10.7Gbps。两项技术均瞄准智能手机端侧AI需求，强调低功耗、高速度和超薄设计，预计2026年旗舰机型将采用相关产品。