三星电子引入飞秒激光技术,剑指HBM性能与良率双突破
2025-06-13
三星电子计划在高带宽存储器(HBM)制造中引入飞秒激光技术,通过极短时间的高功率激光切割晶圆,以提升产品性能和良率。该技术将首先应用于第五代HBM3E,但实际目标更可能是第六代HBM4。此举旨在增强三星在HBM市场的技术竞争力,属于其存储器复兴战略的一部分。


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