北理工团队攻克光子芯片核心难题 单层材料突破推动技术应用
2025-06-13
北京理工大学团队在光子芯片核心技术取得突破,通过单层氧化钼材料实现极化激元非衍射传播,简化了传统多层转角结构的复杂制备流程,显著降低光场损耗并提升宽带覆盖能力。该技术可应用于超分辨光学成像、信息传输及热管理等领域,为光子芯片的集成化与商业化提供新路径。


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