三星押注VCT技术 开启DRAM内存革命
2025-04-29
三星电子计划在第七代10纳米级DRAM工艺(1d nm)之后引入VCT垂直通道晶体管技术,以提升存储密度。该技术开发难度较高,需突破传统工艺限制并采用新封装工艺。竞争对手则计划通过0a nm工艺和3D DRAM产品应对。相关产品预计2-3年内面市,可能重塑DRAM市场竞争格局。


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