英特尔18A制程技术突破：性能提升25% 功耗降低36% 挑战台积电尖端技术

英特尔在VLSI 2025研讨会上披露了其18A制程技术细节，该技术较上一代性能提升25%、功耗降低36%、密度提升30%。18A采用第二代RibbonFET环栅晶体管和PowerVia背面供电技术，晶体管密度与台积电N5、N3E相当，但SRAM密度仍落后于台积电N2。该工艺将用于今年发布的Panther Lake CPU，并计划2027年推出更先进的14A工艺，性能再提升15-20%。技术突破旨在与台积电尖端技术竞争，但实际市场效果仍需观察。