三星430层闪存量产推迟！存储芯片行业技术突破遇阻

三星电子因技术难题和成本压力，决定将430层堆叠V10 NAND Flash量产计划从2025年下半年推迟至2026年上半年。主要阻碍包括极低温蚀刻技术应用困难、市场需求不确定性和设备供应链未确立。三星正与Lam Research、TEL合作调整蚀刻温度方案，预计2026年一季度实现量产。