三星430层NAND量产计划遇阻，技术难题与成本压力致推迟

三星电子因技术挑战和市场需求不确定性，决定将430层V10 NAND Flash量产计划从2025年下半年推迟至2026年上半年。核心问题包括极低温蚀刻设备在量产中的应用困难、供应链未完善及初期投资成本过高。三星正与Lam Research和TEL合作调整蚀刻温度方案，预计2025年下半年重新评估设备。